在逆变器和转换器等电力转换器使用的功率元件中，GaN有望比现有的Si大幅降低电力损耗。在Si制功率元件的性能提高正逐渐趋于极限的情况下，采用GaN的功率元件研发越来越活跃。不过，完结这种情况的新型Si制功率元件亮相了。这就是美国ICEMOS Technology与欧姆龙开发的Super Junction构造的Si制MOSFET（以下简称SJ-MOSFET）。耐压为600～650V的产品已从2011年8月开始量产。

　　ICEMOS等公司开发的SJ-MOSFET的特点是，导通电阻与栅极漏极间电荷量（Qgd）的乘积FOM（Figure of Merit，质量因子）较小。耐压为650V的“ICE20N65”的FOM约为900mΩ·nC，与GaN类功率元件试制品基本相同（表1）。在电力转换器等产品中，导通电阻越低越容易降低导通时的损耗，Qgd越小越容易降低开关损耗。也就是说，FOM越小越有利于降低电力损耗。

　　据ICEMOS介绍，SJ-MOSFET主要通过微细化的推进降低了FOM。具体措施是缩小了MOSFET的单元间距。前面提到的ICE20N65，其单元间距为12μm。

　　据介绍，ICEMOS考虑今后进一步推进微细化，在技术上可将单元间距缩小至5μm。通过将单元间距从12μm降至5μm，可使导通电阻降至一半以下、使Qgd降至一半。也就是说，性能还有进一步提高的空间，这意味着今后不久就可以赶上GaN类功率元件的性能提高速度。

　　SJ-MOSFET之所以能够实现微细化，是因为采用了与原来不同的制造法。在普通的Super Junction构造中，n型层和p型层在水平方向上交错排列。形成该构造需要采用“多层外延”方式：将在同一平面内形成n型范围和p型范围的层，在垂直方向上通过外延生长层叠多层。

　　但是，ICEMOS却采用了不同于多层外延的方法。原因是ICEMOS判断认为，其采用的方法可比多层外延方式更容易缩短生产工艺、减小单元间距。具体方法是，首先使n型层外延生长，然后利用MEMS工艺中使用的蚀刻技术在n型层上凿刻沟槽。接着在沟槽的侧面注入并扩散离子，制造p型层。然后在沟槽内嵌入绝缘子，制造电极等，完成整个制造流程。

　　ICEMOS采用该方法设计的SJ-MOSFET，由欧姆龙的野州事务所生产。据ICEMOS介绍，除了可进行微细加工的MEMS工艺技术外，欧姆龙还拥有使用CMOS工艺形成电极，这是ICEMOS决定与欧姆龙合作的决定因素。欧姆龙将采用口径为200mm的Si基板制造SJ-MOSFET。（记者：根津祯，《日经电子》）